Twierdzi się, że Nexperia wyciska mosfet 40V z 0.7mΩ Rds(on) do 8 x 8 mm, za pomocą jego pakietu LFPAK88 i jego najnowsze krzemu (Trench9)-zamierza wypierać urządzeń D²PAK i D²PAK-7 – zaoszczędzić 60% ślad i z 64% niższy profil.
"W przeciwieństwie do pakietów, gdzie wydajność jest często ograniczona przez przewody wewnętrznej więzi,Urządzenia LFPAK88zatrudniają miedzi clip i lutowane die dołączyć budowy, w wyniku niskiej odporności elektrycznej i cieplnej, dobry bieżącego rozprzestrzeniania i rozpraszania ciepła,"powiedział Nexperia. "Ponadto masy cieplnej miedzi klip również zmniejsza powstawanie hot-spot, co skutkuje poprawa lawina energii i liniowe, tryb bezpieczny obszar pracy wydajności."
Indukcyjność klip jest 1nH i przedsiębiorstwa jest twierdząc, ciągłe 425A spustowego prąd jest możliwe dzięki 0.7mΩ urządzenia – co ona obliczana jest 48 razy lepiej moc gęstości w porównaniu z urządzeniami D2PAK (Niestety nie pod warunkiem obliczenia).
Kredyt do do Nexperia deklarowanie maksymalna Rds(on) dlaPSMNR70-40SSH– 0.7mΩ rysunek. Typowe jest 0.62mΩ (Brama = 10V, 25A, skrzyżowania = 25 ° C).
Obecnie istnieją urządzenia 0,7, 0,9 i 1mΩ – z lub bez NextPowerS3, który jest pewnego rodzaju struktury diody, który ma "wysokiej wydajności i niskiej wydajności wybijanie, zwykle związane z MOSFET z zintegrowanym Schottky'ego lub Diody Schottky'ego, jak, ale bez problematyczne wysoki prąd upływu", według Nexperia.
Przewody są państwowe dla niskiej stres i Nexperia twierdząc, "poziomów niezawodności więcej niż dwa razy lepiej niż jest to wymagane przez AEC-Q101".
Tranzystory MOSFET LFPAK88 są dostępne w samochodowych kwalifikowana (BUK) i klasy jakości (PSMN). Aplikacje w hamowania, Wspomaganie kierownicy, odwrócić ochrony baterii i konwertery DC-DC oczekuje się w przemyśle samochodowym, gdzie mały rozmiar może pomóc w przypadku gdy jest to podwójny nadmiarowość jest wymagane. Od samochodów, akumulatorowe Elektronarzędzia, profesjonalny zasilacz i telekomunikacji przewiduje się korzystanie z infrastruktury.
